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其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。

可控硅XB5560S可应用于直流电机控制、功率转换器、交流电源控制、照明、固态继电器等。

可控硅XB7560S可应用于 直流电机控制、功率转换器、交流电源控制、照明、固态继电器等。

可控硅XB4060S可应用于直流电机控制、功率转换器、交流电源控制、照明、固态继电器等 。

光耦TD1018（T1）-G可应用于手机充电器、电源适配器、LED电源等。

光耦TD356C（T1）-G可应用于手机充电器、电源适配器、LED电源等。

光耦ORPC-817C可应用于手机充电器、电源适配器、LED电源等。

光耦OR-1008可应用于手机充电器、电源适配器、LED电源等

光耦OR-6N137可应用于消除地面回路、数据传输、开关电源、脉冲变压器更换、计算机外设接口、地面高速逻辑隔离。